金融界2023年12月12日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种抗单粒子加固的鳍式场效应晶体管“，公开号CN117219667A，申请日期为2022年6月。

专利摘要显示，本发明公开了一种抗单粒子加固的鳍式场效应晶体管，该器件在FinFET的沟道和漏区下方插入局部介质层，可以阻止单粒子入射后在衬底产生的电荷被漏区收集，从而减小单粒子瞬态电流。相比于传统体硅FinFET器件，该结构FinFET器件有更好的抗单粒子瞬态能力。

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